مقدمه:

سیلیکون کاربید(SIC) به انگلیسی (Silicon carbide) در دهه اخیر تحقیقات بسیاری در گسترش الکترونیک SiC صورت گرفته است. به دلیل کاربردهای امیدوارکننده در حوزه الکترونیک قدرت، محیط های کاری سخت و سنسورها، علاقه زیادی به SiC وجود دارد. قطعات نیمه رسانای SiCدارای رسانایی گرمایی، قدرت شکست میدان الکتریکی بزرگ و شکاف باند بزرگی دارند که آنها را برای کاربردهای توان بالا، فرکانس بالا و محیط های تابشی شدید مناسب می سازد. با این حال، مسایل مربوط به رشد کریستالی و مشکلات فرایند ساخت مواد، قطعات SiC را به کاربردهای محدود شده ای منحصر ساخته است. موفقیت نهایی SiC به عنوان یک تکنولوژی الکترونیکی بستگی به تاثیر متقابل و نزدیک تحقیقات در علم مواد با پیشرفت در طراحی قطعات الکترونیکی و بسته بندی آنها دارد. در اینجا وضعیت کنونی الکترونیک SiC از چشم انداز یک ماده نیم رسانا با تاکید بر مشکلات و چالش های کنونی و فرصت های پیشرفت آینده مرور و بازبینی می شود. پیشرفت و توسعه تکنولوژی SiC در چند دهه اخیر به دلیل بهبودهایی در تکنولوژی رشد ویفر، پردازش ساخت مواد، قطعات الکترونیکی و بطور فزاینده ای سنسورها، کاملا چشم گیر بوده است. توجیه پیشرفت های تکنولوژی SiC بر مبنای مشخصات عالی این مواد می باشد که از قدرت بالای پیوند      Si-C ناشی می گردد.  در حقیقت SiC دارای انواع کریستالی مختلفی می باشد که همه این ساختارها از زیرواحد Si-C مشابهی ساخته شده اند که توالی پشته سازی متفاوتی دارند. در حال حاضر بیش از صد نوع کریستالی متفاوت شناخته شده اند اما تحقیقات بر روی سه نوع  C3، H 6 و H 4 متمرکز شده است البته H 4 برای قطعات الکترونیکی بیشتر بکار می رود که بخاطر مشخصات در کل برتر این ماده در حوزه الکترونیک می باشد. شکاف باند H-SiC 4 در دمای اتاق (eV23/3) در مقایسه با  ( eV12/1 Si) می باشد. این موضوع تعداد جفت الکترون – حفره هایی که از فعالیت گرمایی در شکاف باند تشکیل می شوند را کاهش داده و اجازه عملکرد دما بالای قطعات الکترونیکی SiC از جمله سنسورها را می دهد.